- 삼성·SK 주가 조정 이면에 中 CXMT 추격…글로벌 D램 점유율 8% 달성
- 2016년 삼성 10나노 공정 도면 수백 장 '손복사'…30억 연봉에 한인 100여 명 포섭
- 애플 수급 검토·14조 원 실탄 확보…미국 제재 뚫고 DUV 국산화·HBM2 양산
- 솜방망이 처벌 논란 속 정부, 9월부터 핵심 기술 유출 시 최고 징역 30년 적용

국내 반도체 양대 산맥인 삼성전자와 SK하이닉스가 주가 변동성을 겪는 가운데, 그 이면에 중국 최대 D램 제조업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 턱밑 추격이 자리 잡고 있다는 경고가 나왔다. 범용 D램 시장을 공략해 온 CXMT가 글로벌 점유율을 8%까지 끌어올리며 세계 4위로 올라선 배경에는 국내 국가 핵심 기술 유출이라는 치명적 악재가 존재했던 것으로 드러났다.

검찰 조사 결과, 지난 2016년 삼성전자가 세계 최초로 성공한 10나노급 D램 핵심 공정 기술이 설립 초기였던 CXMT로 통째로 유출된 것으로 확인됐다. 삼성전자 부장 출신 A씨와 연구원 출신 B씨 등 일당 10명은 보안망을 피하기 위해 수백 장에 달하는 공정 도면을 일일이 종이에 베껴 적는 대담한 수법을 사용했다. CXMT는 최고 30억 원에 달하는 연봉과 주거비, 자녀 국제학교 학비 등 파격적 조건을 제시하며 한때 100명이 넘는 한국인 기술 인력을 포섭해 기술 흡수를 가속화했다.

유출된 기술을 토대로 CXMT는 2023년 중국 최초로 18나노 D램 양산에 성공한 데 이어, 최근 1분기 354억 위안의 영업이익을 내며 흑자 전환에 성공했다. 글로벌 공룡 기업인 애플이 미 의회의 반대에도 불구하고 메모리 수급을 위해 CXMT를 검토할 만큼 품질과 수율이 상향 평준화된 상태다. 나아가 14조 원 규모의 증시 자금 조달과 노광 장비(DUV) 자체 생산 시도, 차세대 AI 반도체 핵심인 HBM2 양산까지 추진하며 한국과의 기술 격차를 좁혀오고 있다.

그러나 그동안 국가 안보급 기술 유출에 대한 국내 처벌은 징역 6~7년 수준에 불과해 미국·대만 등 주요국 대비 '솜방망이'라는 지적이 끊이지 않았다. 정부는 오는 9월부터 반도체 등 국가 핵심 기술을 해외로 무단 유출할 경우 간첩죄 수준을 적용해 최고 징역 30년까지 처벌을 대폭 강화하기로 했다. 기술 유출 차단과 동시에 HBM 등 차세대 초격차 기술 사수를 위한 국가 차원의 종합적 방첩·지원 대책이 시급하다.